雙極性晶體管集電極-基極擊穿電壓檢測
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發布時間:2025-09-24 19:15:43 更新時間:2025-09-23 19:15:43
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作者:中科光析科學技術研究所檢測中心
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雙極性晶體管作為電子電路中的核心元件,其集電極-基極擊穿電壓(BV_CBO)是評估器件可靠性和極限工作條件的重要參數。該參數反映了在基極開路條件下,集電結能夠承受的最大反向電壓,直接影響晶體管在高壓環境下的穩定性和壽命。在實際應用中,準確檢測BV_CBO對于電路設計、器件選型以及失效分析都具有重要意義。
BV_CBO的檢測過程需要模擬晶體管在極端工作狀態下的電氣特性。當集電極-基極電壓超過該臨界值時,晶體管將進入雪崩擊穿區域,導致電流急劇增加。通過精確測量這一臨界電壓點,工程師可以判斷器件是否符合設計規格,并預測其在高壓電路中的表現。本文將詳細介紹該檢測的關鍵項目、儀器配置和操作方法。
1. 靜態擊穿電壓檢測:在常溫環境下測量集電結的反向擊穿特性,記錄電流突然增大時的電壓臨界值。
2. 溫度特性測試:通過改變環境溫度(通常-40℃至+125℃),觀察BV_CBO隨溫度變化的規律。
3. 漏電流監測:在擊穿電壓測試過程中,同步檢測反向漏電流的變化情況。
1. 高精度可編程電源:提供0-1000V可調直流電壓,分辨率需達到0.1V。
2. 微電流計:測量范圍1nA-10mA,用于捕捉擊穿前的微小漏電流。
3. 溫度控制箱:實現-55℃至+150℃的溫度環境控制。
4. 示波器:記錄電壓-電流特性曲線變化過程。
1. 基礎測試法: 將晶體管基極保持開路狀態,集電極連接正電源,發射極接地。以1V/s的速率緩慢增加集電極電壓,同時監測電流變化。當電流突然增大至規定閾值(通常1mA)時,記錄此時的電壓值即為BV_CBO。
2. 階梯掃描法: 采用階梯電壓方式施加偏置,每步停留1秒后測量電流值。通過繪制I-V曲線,可以更精確地確定擊穿拐點。
3. 溫度循環測試法: 在控溫箱內進行測試,首先在25℃下測量基準值,然后分別在高低溫條件下重復測試,分析溫度系數。
檢測過程中需特別注意:施加電壓必須緩慢上升,避免瞬態過沖;測試時間控制在5秒內,防止器件過熱;每個樣本應重復測試3次取平均值。對于功率晶體管,建議配合散熱裝置進行測試。
證書編號:241520345370
證書編號:CNAS L22006
證書編號:ISO9001-2024001

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