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微電子材料檢測

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發布時間：2025-07-25 08:49:03 更新時間：2025-11-04 08:56:38

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作者：中科光析科學技術研究所檢測中心

微電子材料是制造微電子元器件、集成電路等電子設備的基本材料，包括各種不同的半導體材料、介電材料、導電材料、磁性材料、光電材料、壓電材料等。

項目名稱：微電子材料

標準編號：GB/T 1554-2009

檢測范圍

硅,鍺,鎵砷化物,氮化鎵,氧化鋯,硅酸鋯,納米銀,銅,鋁,鈦,鈀,鉑,鉍鋅錫氧化物,銻硫,二硫化鉬,氧化銥,氮化鋁,硫化鎘,硒化鋅,鋁氮化物,氟化鋰,硼化鋁,鈷鐵硼,硫化鉛,硒化鎵,氧化銅,鉻酸鍶,磷化銦,氮化硅,硫化銅,硼化鎵,鈣鈦礦,氧化鎢,氮化銦,硅酮,石墨烯,磷化鋁,塞礦石,碲化鎘,硅酸鉿,硒化亞鐵,二硫化鐵,硒化鎘鋅,硫化鐵鎳,硫化鎳鐵,鐵磁鐵氧體,二硝酸鋯,氧化硅.

項目指標

砷化鎵材料雜質濃度、砷化鎵單晶EL2濃度、硅單晶電阻率、導電類型、徑向電阻率變化、砷化鎵材料霍爾遷移率和電阻率的均勻性、少子壽命、電阻率與摻雜劑濃度換算、磷化銦位錯、晶片翹曲度、硅外延層、擴散層和離子注入層薄層的電阻、硅外延層晶體完整性、硅晶體中間隙氧含量徑向變化、硅多晶斷面夾層、硅拋光片氧化誘生缺陷、硅拋光片表面質量、碳化硅單晶片微管密度

參數列表

1	晶向	GB/T 1555-2009	半導體單晶晶向測定方法
2	霍爾系數	GB/T 4326-2006	非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數測量方法
3	硅單晶完整性	GB/T 1554-2009	硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法
4	硅材料缺陷	GB/T 30453-2013	硅材料原生缺陷圖譜
5	硅外延層厚度	GB/T 14847-2010	重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法
6	硅晶體中氧含量	GB/T 1557-2018	硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
7	硅晶體中碳含量	GB/T 1558-2009	硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法
8	砷化鎵和磷化銦材料霍爾系數	SJ 3244.1-1989	砷化鎵、磷化銦半導體材料參數測試方法
9	砷化鎵單晶位錯密度	GB/T 8760-2006	砷化鎵單晶位錯密度的測量方法
10	砷化鎵單晶AB微缺陷	GB/T 18032-2000	砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗方法